MOCVD homoepitaxy of Si-doped (010) β-Ga2O3 thin films with superior transport properties

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标题	MOCVD homoepitaxy of Si-doped (010) β-Ga2O3 thin films with superior transport properties
网址	https://doi.org/10.1063/1.5109678
DOI	10.1063/1.5109678 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Zixuan Feng; A F M Anhar Uddin Bhuiyan; Md Rezaul Karim; Hongping Zhao 出版日期：2019-06-24
求助人	鱼y 在 2026-07-22 17:29:31 发布自山东，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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