FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm

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标题	FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm
网址	https://doi.org/10.1109/16.887014
DOI	10.1109/16.887014 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者： Chenming Hu; J. Bokor; Tsu-Jae King; E. Anderson; C. Kuo; et al 出版日期：2000
求助人	钢铁科研在 2026-05-04 21:57:37 发布自广东，悬赏 10 积分
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