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标题
Threshold voltage model of strained Si channel nMOSFET
相关领域
阈值电压 材料科学 兴奋剂 电压 图层（电子） 反向短通道效应 光电子学 基质（水族馆） 凝聚态物理 纳米技术 电气工程 晶体管 物理 海洋学 地质学 工程类
网址
https://doi.org/10.7498/aps.58.4948
DOI
10.7498/aps.58.4948 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Zhifeng Zhang; Zhang He-Ming; Huiyong Hu; Xuan Rong-Xi; Jianjun Song
出版日期：2009-01-01
求助人
xiaoxiao 在 2025-10-13 20:12:28 发布自江西，悬赏 10 积分
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