Fabrication of High-Gain CMOS Inverter Based on Ambipolar WSe2 Negative-Capacitance FETs With Ferroelectric HfZrAlO as Gate Dielectric

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标题	Fabrication of High-Gain CMOS Inverter Based on Ambipolar WSe2 Negative-Capacitance FETs With Ferroelectric HfZrAlO as Gate Dielectric 以铁电HfZrAlO为栅介质的双极WSe2负电容场效应晶体管高增益CMOS逆变器的研制相关领域铁电性负阻抗变换器制作栅极电介质逆变器双极扩散 CMOS芯片材料科学逻辑门电容电极电介质光电子学电气工程晶体管物理量子力学电压电子工程类医学替代医学病理电压源
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3356483
DOI	10.1109/ted.2024.3356483 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xinge Tao; Weichao Jiang; Lu Liu; Jing-Ping Xu 出版日期：2024-02-08
求助人	JJFLYING 在 2025-09-06 09:51:43 发布自河南，悬赏 10 积分
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