标题 |
In-situ Microwave Characterization of Medium-k HfO2 and High-k STO Dielectrics for MIM Capacitors Integrated in Back-End of Line of IC
相关领域
原位
电容器
材料科学
生产线后端
微波食品加热
电介质
高-κ电介质
表征(材料科学)
光电子学
电气工程
纳米技术
工程类
化学
电信
电压
有机化学
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DOI |
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期刊:HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) 作者:Trinh Vo; T. Lacrevaz; B. Fléchet; A. Farcy; Y. Morand; et al 出版日期:2008-12-01 |
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