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 Bi2OS2: a direct-gap two-dimensional semiconductor with high carrier mobility and surface electron states Bi2 OS 2：一种具有高迁移率和表面电子状态的直接带隙二维半导体
相关领域
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期刊：Materials Horizons 作者：Xiwen Zhang; Bing Wang; Xianghong Niu; Yunhai Li; Yunfei Chen; et al 出版日期：2018-01-01 |
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