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标题
Point defect effects in AlGaN 270-nm light emitting diodes introduced by MeV electron and proton irradiation
MeV电子和质子辐照AlGaN 270nm发光二极管中的点缺陷效应
相关领域
材料科学 电致发光 发光二极管 二极管 辐照 通量 电子 光电子学 质子 物理 纳米技术 核物理学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1063/5.0231390
AI链接 doi.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0231390 doi
其它 期刊：APL Materials
作者：A. Y. Polyakov; L. A. Alexanyan; I. Shchemerov; A.A. Vasil'ev; А. В. Черных; et al
出版日期：2024-12-01
求助人
Doctor 在 2025-08-18 17:35:32 发布，悬赏 10 积分
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