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  GaAsSb/InGaAs tunnel FETs using thick SiO2 mask for regrowth 使用厚SiO2掩模再生的GaAsSb/InGaAs隧道场效应晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
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| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Jiawei Fan; Ruifeng Xu; Masakazu Arai; Yasuyuki Miyamoto 出版日期：2024-02-08 |
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