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 Exploring FinFET and Gate-All-Around FET for SRAM Cell Arrays at the 3 nm Process Node 探索用于3 nm工艺节点SRAM单元阵列的FinFET和全栅极FET
相关领域
静态随机存取存储器
节点（物理）
晶体管
互连
电子工程
计算机科学
过程（计算）
MOSFET
材料科学
电气工程
工程类
计算机网络
电压
结构工程
操作系统
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| 其它 |
期刊： 作者：Bennett Bush; Jacob Mack; Luke Hanks; Trinity Collector; Zhuoqi Cai; et al 出版日期：2023-04-23 |
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