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 An Ultra Wide Band LNA with Current Reused Topology in 0.18-\mu \mathrm{m}$ GaAs pHEMT Process 0.18 μ mathrm{m}$GaAs pHEMT工艺中具有电流复用拓扑结构的超宽带低噪声放大器
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功率消耗
带宽（计算）
噪声系数
低噪声放大器
拓扑（电路）
电气工程
放大器
晶体管
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物理
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电压
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期刊： 作者：Zijian Zhang; Shouxian Mou; Jun Xu; Jiachen Hao; Chen Jia 出版日期：2023-04-21 |
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