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Scaling Benefits for Active and Gate Insulator of Vertical Channel Thin-Film Transistors Using Atomic Layer Deposited InGaZnO Channel
采用原子层沉积InGaZnO沟道的垂直沟道薄膜晶体管有源和栅绝缘体的标度效益
相关领域
缩放比例
薄膜晶体管
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晶体管
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期刊:IEEE electron device letters 作者:Dong-Hee Lee; Young-Ha Kwon; Nak-Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Jong‐Heon Yang; et al 出版日期:2023-01-01 |
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