The Discussion of the Typical BEOL Design Rules from 3 nm to 2 nm Logic Process with EUV and High NA EUV Lithography

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标题	The Discussion of the Typical BEOL Design Rules from 3 nm to 2 nm Logic Process with EUV and High NA EUV Lithography EUV和高NA EUV光刻3~2 nm逻辑工艺BEOL典型设计规则的探讨相关领域生产线后端 PMOS逻辑材料科学 NMOS逻辑极紫外光刻进程窗口平版印刷术光电子学多重图案晶体管节点（物理）化学机械平面化光刻逻辑门图层（电子）纳米技术电子工程抵抗电气工程工程类电压结构工程
网址	https://doi.org/10.1109/iwaps54037.2021.9671251
DOI	10.1109/iwaps54037.2021.9671251 doi
其它	期刊：作者：Qiang Wu; Yanli Liu; Xiaona Zhu; Shaofeng Yu 出版日期：2021-12-12
求助人	kuxingzhe1993 在 2024-05-12 10:43:03 发布自山东，悬赏 10 积分
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