Comprehensive Study of Distinct TID Mechanisms in Hardened SGT MOSFET under On /Off State and Annealing Recovery

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标题	Comprehensive Study of Distinct TID Mechanisms in Hardened SGT MOSFET under On /Off State and Annealing Recovery
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ispsd64561.2026.11553890
DOI	10.1109/ispsd64561.2026.11553890 doi
其它	期刊：2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Junfeng Yu; Jihong Ding; Ruihan Gao; Haonan Liu; Jun Ye; et al 出版日期：2026-05-24
求助人	活力的初晴在 2026-08-22 14:03:45 发布自广东，悬赏 10 积分
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