A-IGZO FETs with High Current and Remarkable Stability for Vertical Channel Transistor(VCT) / 3D DRAM Applications

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标题	A-IGZO FETs with High Current and Remarkable Stability for Vertical Channel Transistor(VCT) / 3D DRAM Applications 相关领域德拉姆晶体管光电子学频道（广播）材料科学电流（流体）电气工程计算机科学工程类电压
网址	https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631...
DOI	10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631550 doi
其它	期刊：作者：Jee-Eun Yang; Younjin Jang; Narae Han; Ha‐Jun Sung; Jung-kyun Kim; et al 出版日期：2024-06-16
求助人	微澜不惊在 2026-06-26 14:23:16 发布自上海，悬赏 10 积分
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