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Embedding Two P+ Pockets in the Buried Oxide of Nano Silicon on Insulator MOSFETs: Controlled Short Channel Effects and Electric Field 相关领域
材料科学
绝缘体上的硅
兴奋剂
电场
排水诱导屏障降低
光电子学
绝缘体(电)
阈下传导
硅
阈值电压
纳米尺度
MOSFET
阈下摆动
电压
氧化物
电气工程
纳米技术
晶体管
工程类
物理
冶金
量子力学
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| 其它 |
期刊:Silicon 作者:Zahra Aghaeipour; Ali Naderi 出版日期:2019-12-18 |
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