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 Low-temperature atomic layer deposition-grown Al2O3 gate dielectric for GaN/AlGaN/GaN MOS HEMTs: Impact of deposition conditions on interface state density |
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 作者：Milan Ťapajna; Lukáš Válik; Filip Gucmann; Dagmar Gregušová; Karol Fröhlich; et al 出版日期：2016-12-22 |
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