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 High-performance (<tex>$\text{EOT} &lt; 0.4\text{nm}$</tex>, Jg∼10−7 A/cm2) ALD-deposited Ru\SrTiO<inf>3</inf> stack for next generations DRAM pillar capacitor 相关领域
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期刊： 作者：M. Popovici; Attilio Belmonte; H. Oh; Goedele Potoms; Johan Meersschaut; et al 出版日期：2018-12-01 |
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