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 Improving performances of ultra-small size (1–20 μ m) InGaN red micro-LEDs by growing on freestanding GaN substrates 在独立GaN衬底上生长提高超小尺寸（1~20 μ m）InGaN红色微发光二极管的性能
相关领域
发光二极管
材料科学
光电子学
蓝宝石
铟
电流密度
薄脆饼
铟镓氮化物
宽禁带半导体
氮化镓
量子效率
波长
纳米技术
光学
激光器
图层（电子）
物理
量子力学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Luming Yu; Zhibiao Hao; Yi Luo; Changzheng Sun; Bing Xiong; et al 出版日期：2023-12-04 |
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