Ferroelectric Ga2O3‐Enabled High‐Density Spintronic Memory via Nonrelativistic Spin Splitting

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标题	Ferroelectric Ga2O3‐Enabled High‐Density Spintronic Memory via Nonrelativistic Spin Splitting 基于非相对论自旋分裂的铁电Ga2O3高密度自旋电子存储器相关领域自旋电子学材料科学铁电性凝聚态物理自旋（空气动力学）铁磁性光电子学物理电介质热力学
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202517376
DOI	10.1002/adfm.202517376 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Tongtong Wang; Fangqi Liu; E Zhou; Taiqiao Liu; Rui Xiong; et al 出版日期：2025-10-06
求助人	秋寒云在 2025-11-21 10:07:56 发布自北京，悬赏 10 积分
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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