Novel channel-last integration of ALD MoS2 into stacked channel FETs on 300mm wafers

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标题	Novel channel-last integration of ALD MoS2 into stacked channel FETs on 300mm wafers
网址	https://doi.org/10.1109/IEDM50572.2025.11353602
DOI	10.1109/IEDM50572.2025.11353602 doi
其它	期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：S. Barraud; M. Rodriguez-Fano; J.M. Pedini; S. Cadot; R. Chouk; et al 出版日期：2025
求助人	WWW 在 2026-02-10 14:39:10 发布自江苏，悬赏 10 积分
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