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Bandgap Extraction at 10 K to Enable Leakage Control in Carbon Nanotube MOSFETs 10 K下的带隙提取以实现碳纳米管MOSFET中的泄漏控制
相关领域
带隙
材料科学
MOSFET
碳纳米管
热离子发射
光电子学
量子隧道
泄漏(经济)
纳米技术
晶体管
物理
电子
量子力学
宏观经济学
经济
电压
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Qing Lin; Gregory Pitner; Carlo Gilardi; Sheng‐Kai Su; Zichen Zhang; et al 出版日期:2022-01-07 |
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