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  Characterization and Advanced Modeling of Dielectric Defects in Low-Thermal Budget RMG MOSFETs Using 1/f Noise Analysis 基于1/f噪声分析的低热预算RMG MOSFETs介电缺陷表征和高级建模
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：R. Asanovski; Hiroaki Arimura; Jean‐François de Marneffe; Pierpaolo Palestri; Naoto Horiguchi; et al 出版日期：2024-01-19 |
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