| 标题 |
 Unveiling strain in future generation transistor technology by Bessel beam electron diffraction method 用贝塞尔束电子衍射法揭示下一代晶体管技术中的应变
相关领域
衍射
贝塞尔函数
晶体管
电子衍射
电子
拉伤
光学
材料科学
光电子学
阴极射线
贝塞尔光束
物理
量子力学
医学
内科学
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Microelectronic Engineering 作者：Paola Favia; G. Eneman; A. Veloso; Ankit Nalin Mehta; Gerardo Martínez; et al 出版日期：2025-03-10 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Criminology34
Kao
渡人舟
zhixiang
秋风
GingerF
null
OK
学术文献互助
Nole
DW
斯文的白玉
Ali
无极微光
罗Eason
aajhajkahna
一级捡球员
JEREMIAH
kento
皖公网安备34019202002308
