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标题
Gate Length Influence on the Strain of the AlGaN Barrier Layer under the Gate in AlGaN/AlN/GaN HFETs at Different Temperatures
不同温度下栅极长度对AlGaN/AlN/GaN HFET栅极下AlGaN势垒层应变的影响
相关领域
材料科学 阻挡层 图层（电子） 拉伤 光电子学 复合材料 医学 内科学
网址
https://doi.org/10.1134/s1063782624601572
DOI
10.1134/s1063782624601572 doi
其它 期刊：Semiconductors
作者：Yan Liu; Simin Chen; Xiaohua Ma; Zhiqun Cheng; Tao Wang
出版日期：2024-08-01
求助人
脑洞疼 在 2025-12-04 13:21:32 发布自广东，悬赏 10 积分
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