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 Epitaxial growth of a silicon capping layer to mitigate roughness after the selective chemical etching of Si1-xGex 选择性化学蚀刻Si1-xGex后硅覆盖层的外延生长以减轻粗糙度
相关领域
蚀刻（微加工）
材料科学
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硅
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光电子学
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期刊：Thin Solid Films 作者：Hyun‐Woo Lee; Yongjoon Choi; Donghyuk Shin; Dae-Seop Byeon; Dae‐Hong Ko 出版日期：2020-08-01 |
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