Using High Dielectric Constant HfO₂/ZrO₂ Superlattice Dielectrics to Enhance Ge Stacked Nanosheets Gate-All-Around Transistor Performance

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标题	Using High Dielectric Constant HfO₂/ZrO₂ Superlattice Dielectrics to Enhance Ge Stacked Nanosheets Gate-All-Around Transistor Performance
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/55/11060935/10985767.pdf...
DOI	10.1109/led.2025.3566763 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yi-Wen Lin; Chen-You Wei; Kai-Wei Huang; Tzu-I Kao; Jun-Wei Wu; et al 出版日期：2025-07-01
求助人	hwl12138 在 2026-10-15 13:50:19 发布自北京，悬赏 10 积分
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