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Highly rugged 1200 V 80 mQ 4-H SiC power MOSFET |
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期刊:International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者:In-hwan Ji; Amaury Gendron-Hansen; Ming-Zhen Lee; E. Maxwell; B. Odekirk; et al 出版日期:2017-05-01 |
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