Heteroepitaxial β‐Ga2O3 Trench‐Gate MOSFET on 4H‐SiC: Trap, Thermal, and Breakdown Optimization

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标题	Heteroepitaxial β‐Ga2O3 Trench‐Gate MOSFET on 4H‐SiC: Trap, Thermal, and Breakdown Optimization
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/pssa.2025008...
DOI	10.1002/pssa.202500848 doi
其它	期刊：Physica Status Solidi (a) 作者：Md Zafar Alam; Imran Ahmed Khan; S. I. Amin; Aadil Anam 出版日期：2026-03-28
求助人	青青草原没有派对在 2026-10-01 16:14:46 发布自天津，悬赏 10 积分
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