Fabrication of single-electron shuttling channels in a silicon CMOS fab using high-throughput electron beam lithography

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标题	Fabrication of single-electron shuttling channels in a silicon CMOS fab using high-throughput electron beam lithography
网址	https://doi.org/10.1117/12.3063352
DOI	10.1117/12.3063352 doi
其它	期刊：40th European Mask and Lithography Conference (EMLC 2025) 作者：Wolfram Langheinrich; Varvara Brackmann; Michael Friedrich; Marcus Wislicenus; Pascal Muster; et al 出版日期：2025
求助人	柏不斜在 2026-05-25 11:55:39 发布自北京，悬赏 20 积分
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