Dual-gate Ion-Sensitive Ferroelectric Field-Effect Transistor with Ultra-High Sensitivity >1000 mV/pH and Low Operation Voltage

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标题	Dual-gate Ion-Sensitive Ferroelectric Field-Effect Transistor with Ultra-High Sensitivity >1000 mV/pH and Low Operation Voltage
网址	https://doi.org/10.1109/IEDM50572.2025.11353521
DOI	10.1109/IEDM50572.2025.11353521 doi
其它	期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Zikang Yao; Danyang Chen; Mengwei Si; Longchun Wang; Xiaojun Guo; et al 出版日期：2025
求助人	阿西吧在 2026-05-11 19:20:41 发布自湖南，悬赏 10 积分
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