Conductive filament evolution dynamics revealed by cryogenic (1.5 K) multilevel switching of CMOS-compatible Al 2 O 3 /TiO 2 resistive memories

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标题	Conductive filament evolution dynamics revealed by cryogenic (1.5 K) multilevel switching of CMOS-compatible Al 2 O 3 /TiO 2 resistive memories
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/aba6b4
DOI	10.1088/1361-6528/aba6b4 doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Yann Beilliard; François Paquette; Frédéric Brousseau; Serge Ecoffey; Fabien Alibart; Dominique Drouin 出版日期：2020-07-17
求助人	zhu 在 2026-05-25 21:51:56 发布自四川，悬赏 10 积分
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