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 A 600-pW, 34.6 ppm/°C, -50 °C to 130 °C CMOS Voltage Reference with Leakage-Based Temperature Compensation and Supply Rejection Enhancement Techniques 具有基于泄漏的温度补偿和电源抑制增强技术的600 pW、34.6 ppm/°C、-50°C至130°C CMOS基准电压源
相关领域
CMOS芯片
泄漏（经济）
补偿（心理学）
电压
材料科学
阈值电压
光电子学
电气工程
电子工程
晶体管
工程类
精神分析
心理学
宏观经济学
经济
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| 其它 |
期刊： 作者：I-Fan Lin; Yeh‐Jiun Tung; Po-Hsun Chu; Yu‐Te Liao 出版日期：2025-05-25 |
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