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 Combined impact of B2H6 flow and growth temperature on morphological, structural, optical, and electrical properties of MOCVD-grown B(In)GaAs heterostructures designed for optoelectronics B2H6流量和生长温度对MOCVD生长的B（In）GaAs光电子异质结构的形貌、结构、光学和电学性能的综合影响
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化学气相沉积
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光电子学
铟
三元运算
硼
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期刊：Applied Surface Science 作者：Tarek Hidouri; A. Parisini; C. Ferrari; Davide Orsi; A. Baraldi; et al 出版日期：2021-11-14 |
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wangjingli666
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