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  Study on the Hydrogen Effect and Interface/Border Traps of a Depletion-Mode AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor with a SiNx Gate Dielectric at Different Temperatures SiNx栅介质耗尽型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在不同温度下的氢效应和界面/边界陷阱研究
相关领域
材料科学
阈值电压
钝化
氢
高电子迁移率晶体管
光电子学
晶体管
电介质
泄漏（经济）
栅极电介质
电压
电气工程
纳米技术
化学
图层（电子）
有机化学
工程类
经济
宏观经济学
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| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Dongsheng Zhao; Liang He; Lijuan Wu; Qingzhong Xiao; Chang Liu; et al 出版日期：2024-01-24 |
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