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 Voltage-Controlled Oscillator Utilizing Inverse-Mode SiGe-HBT Biasing Circuit for the Mitigation of Single-Event Effects 利用逆模SiGe-HBT偏置电路减轻单事件效应的压控振荡器
相关领域
压控振荡器
异质结双极晶体管
相位噪声
比克莫斯
硅锗
电气工程
无线电频率
偏压
材料科学
双极结晶体管
晶体管
光电子学
电子工程
电压
工程类
硅
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Pujan K. C. Mishu; Moon-Kyu Cho; Ani Khachatrian; S. Büchner; Dale McMorrow; et al 出版日期：2022-04-25 |
| 求助人 |
xuetianshilily
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