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 Enhanced broadband IR absorption and electrical characteristics of silicon variably hyperdoped by sulfur (1018-1021 cm−3) by ion implantation/pulsed laser annealing 离子注入/脉冲激光退火增强硫可变超掺杂硅（1018-1021cm-3）的宽带红外吸收和电特性
相关领域
材料科学
硅
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硫黄
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宽带
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Ivan Podlesnykh; M. S. Kovalev; Alena Nastulyavichus; Nikita Stsepuro; С. С. Пушкарев; et al 出版日期：2024-08-24 |
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宁无剑
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