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  Bias-stress-stable sub-1.5V oxide thin-film transistors via synergistic composition of sol-gel quaternary high-k oxide dielectrics 基于溶胶-凝胶四元高k氧化物电介质协同组合的1.5 V以下偏压稳定氧化物薄膜晶体管
相关领域
电介质
材料科学
薄膜晶体管
氧化物
光电子学
高-κ电介质
阈值电压
无定形固体
栅极电介质
晶体管
图层（电子）
电压
纳米技术
电气工程
化学
冶金
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期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Seokhyeon Baek; Jun‐Gyu Choi; Won‐June Lee; Taehyun Kwak; Yong‐Ryun Jo; et al 出版日期：2024-04-25 |
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