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标题
Device operation and physical mechanism of asymmetric junctionless tunnel field-effect transistors designed to suppress coupled short-channel/short-drain effects and promote on-current switching for ultralow-voltage CMOS applications
设计用于抑制耦合短沟道/短漏效应并促进超低压CMOS应用的导通电流开关的非对称无结隧道场效应晶体管的器件操作和物理机制
相关领域
排水诱导屏障降低 量子隧道 晶体管 电压 材料科学 光电子学 CMOS芯片 摇摆 电气工程 阈下摆动 场效应晶体管 阈值电压 阈下传导 物理 工程类 声学
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac65a9
DOI
10.1088/1361-6641/ac65a9 doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Yu-Hsuan Chen; Hung-Jin Teng; Chenhsin Lien; Chun-Hsing Shih
出版日期：2022-04-22
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栗子 在 2025-08-05 08:20:55 发布，悬赏 10 积分
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