InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes

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标题	InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes InGaN基多量子阱结构激光二极管相关领域光电子学材料科学激光器化学气相沉积二极管蓝宝石量子阱氮化物量子阱激光器蚀刻（微加工）波长金属有机气相外延半导体激光器理论活动层发光二极管激光二极管半导体电流密度图层（电子）光学量子点激光器外延纳米技术物理量子力学薄膜晶体管
网址	https://doi.org/10.1143/jjap.35.l74
DOI	10.1143/jjap.35.l74 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Shuji Nakamura; Masayuki Senoh; Shin–ichi Nagahama; Naruhito Iwasa; Takehiro Yamada; et al 出版日期：1996-01-01
求助人	彬墩墩在 2024-03-29 09:49:11 发布自中国，悬赏 10 积分
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