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 InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes InGaN基多量子阱结构激光二极管
相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Shuji Nakamura; Masayuki Senoh; Shin–ichi Nagahama; Naruhito Iwasa; Takehiro Yamada; et al 出版日期：1996-01-01 |
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