Step-by-step HF etching on the Si(0001) and C(0001̄) crystal faces of 4H-SiC with OH or F-OH terminations: a first-principles study of the atomic-scale etching mechanism

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标题	Step-by-step HF etching on the Si(0001) and C(0001̄) crystal faces of 4H-SiC with OH or F-OH terminations: a first-principles study of the atomic-scale etching mechanism
网址	http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2025/CP/D5CP03118D
DOI	10.1039/d5cp03118d doi
其它	期刊：Physical Chemistry, Chemical Physics - PCCP 作者：Yuncai Jiang; Shuangying Lei; Zixian Li; Zai-fa Zhou 出版日期：2025-10-27
求助人	www 在 2026-07-11 17:29:49 发布自福建，悬赏 10 积分
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