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Dynamic Behavior of Threshold Voltage and I D – V DS Kink in AlGaN/GaN HEMTs Due to Poole–Frenkel Effect Poole-Frenkel效应引起的AlGaN/GaN HEMTs阈值电压和I d-V ds扭结的动力学行为
相关领域
饱和(图论)
可见的
物理
晶体管
阈值电压
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符号
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电压
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Z. Gao; Carlo De Santi; Fabiana Rampazzo; Marco Saro; Mirko Fornasier; et al 出版日期:2023-10-31 |
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