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 HF-Last Wet Clean in Combination with a Low Temperature GeH<sub>4</sub>-Assisted HCl <i>In Situ</i> Clean Prior to Si<sub>0.8</sub>Ge<sub>0.2</sub>-on-Si Epitaxial Growth 在Si0.8Ge0.2-on-Si外延生长之前，HF-与低温GeH4辅助的HCl原位清洁相结合的最后湿式清洁
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期刊：Solid State Phenomena 作者：Kurt Wostyn; Sathish K. Dhayalan; Andriy Hikavyy; Roger Loo; Bastien Douhard; et al 出版日期：2014-09-26 |
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