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 Design Strategies for Mesa-Type GaN-Based Schottky Barrier Diodes for Obtaining High Breakdown Voltage and Low Leakage Current 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xingyu Jia; Sung‐Wen Huang Chen; Yajin Liu; Xu Hou; Yonghui Zhang; et al 出版日期：2020-03-25 |
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