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标题
Influence of the Position of Local Ta Doping in SiNx Resistive Random Access Memory
局域Ta掺杂位置对SiNx电阻随机存取存储器的影响
相关领域
兴奋剂 电阻式触摸屏 职位（财务） 材料科学 导电体 光电子学 热传导 图层（电子） 电阻随机存取存储器 凝聚态物理 电气工程 纳米技术 物理 电压 复合材料 工程类 经济 财务
网址
https://doi.org/10.1002/pssr.202200240
DOI
10.1002/pssr.202200240 doi
其它 期刊：Physica Status Solidi (rrl)
作者：Shuliang Wu; Haixia Gao; Yuxin Sun; Jingshu Guo; Yiwei Duan; et al
出版日期：2022-11-16
求助人
擦撒擦擦 在 2025-12-17 16:00:23 发布自陕西，悬赏 10 积分
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