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 Ultra low power offering 14 nm bulk double gate FinFET based SRAM cells 超低功耗提供基于14 nm大容量双栅极FinFET的SRAM单元
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期刊：Sustainable Computing Informatics and Systems 作者：M.Damodhar Rao; Narayana Y.V.; Prasad V.V.K.D.V. 出版日期：2022-02-02 |
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