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 Design of 1.2 kV SiC trench MOSFET using tilted ion implantation for suppression of electric field crowding at the bottom of the gate oxide 采用倾斜离子注入抑制栅氧化层底部电场拥挤的1.2 kV SiC沟槽MOSFET设计
相关领域
材料科学
离子注入
沟槽
倾斜（摄像机）
光电子学
浅沟隔离
电场
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yeongeun Park; Hyowon Yoon; Chaeyun Kim; Gwangjae Kim; Gyuhyeok Kang; et al 出版日期：2022-12-12 |
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