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Effect and mechanism of point charge defects on ferroelectric domain switching properties of HfO2-based ferroelectric thin film
点电荷缺陷对HfO2基铁电薄膜铁电畴开关性能的影响及机理
相关领域
铁电性 单斜晶系 材料科学 凝聚态物理 相变 相（物质） 晶体缺陷 偶极子 结晶学 光电子学 化学 物理 电介质 晶体结构 有机化学
网址
http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2022.111607
DOI
10.1016/j.commatsci.2022.111607 doi
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ljf 在 2025-12-05 16:30:50 发布自北京，悬赏 10 积分
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