Enhanced memristor performance via coupling effect of oxygen vacancy and ferroelectric polarization

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标题	Enhanced memristor performance via coupling effect of oxygen vacancy and ferroelectric polarization 相关领域铁电性材料科学极化（电化学）异质结兴奋剂记忆电阻器光电子学薄膜空间电荷非易失性存储器泄漏（经济）纳米技术电子工程电介质电子物理化学经济宏观经济学化学工程类物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jmst.2023.07.007
DOI	10.1016/j.jmst.2023.07.007 doi
其它	期刊：Journal of Materials Science & Technology 作者：Zhi Yun Yue; Zhi Dong Zhang; Zhan Jie Wang 出版日期：2023-07-27
求助人	Dandelion 在 2026-01-07 09:28:13 发布自四川，悬赏 10 积分
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