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Tight-binding model and direct-gap/indirect-gap transition in single-layer and multilayer MoS2 单层和多层MoS2中的紧束缚模型和直接间隙/间接间隙跃迁
相关领域
紧密结合
硫系化合物
价(化学)
带隙
材料科学
过渡金属
凝聚态物理
结晶学
电子结构
拓扑(电路)
物理
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化学
数学
量子力学
组合数学
催化作用
生物化学
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期刊:Physical Review B 作者:E. Cappelluti; Rafael Roldán; Jose Ángel Silva-Guillén; Pablo Ordejón; F. Guinea 出版日期:2013-08-08 |
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