| 标题 |
Laser-Induced Selective Modifications of 2D InSe for Emerging Volatile Memristors 用于新兴易失性忆阻器的2D InSe的激光诱导选择性修饰
相关领域
材料科学
记忆电阻器
纳米技术
激光器
光电子学
光学
电子工程
物理
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Genwang Wang; Ye Ding; Yanchao Guan; Yang Wang; Lijun Yang 出版日期:2025-07-10 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|